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2024年05月06日 星期一

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  • 光刻胶去除剂 光刻胶剥离液PL1311

  • 更新时间:2024-05-06
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    李红远 先生(市场部经理

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详细信息

光刻胶去除剂 光刻胶剥离液 光刻胶去胶液 抗蚀剂剥离液 光刻胶清洗剂

产品概述:

光刻胶去除剂(光刻胶剥离液)PL1311是针对半导体晶圆芯片制造过程而设计,光刻胶层需要在制造过程结束时,从衬底表面去除。本品采用极性非质子有机溶剂、还原剂、阻蚀剂等成分,科学复配而成,水溶性好,表面张力低,清洗能力强,可以迅速去除光刻胶残留、其它刻蚀残留物、粉尘颗粒物、油污、手印、氧化硅抛光液残留等脏污,不引入任何污染物,洁净度高,对各种衬底材料、镀膜层、金属配线无腐蚀,无毒无刺激性气味,环保,对人体与环境友好。

适用范围:

光刻胶剥离液(光刻胶去除剂)PL1311用于去除正型光刻胶,以及用于负片的返工处理。适用于半导体晶圆表面、LCD/OLED加工的光刻胶和CMOS图像传感器等返修芯片的红胶,以及电子设备、电子仪器的清洗。

产品特点:

1.去胶速度快,去胶能力强,可迅速去除晶圆表面和衬底金属表面的光刻胶等残留物;

2. 光刻胶去除剂(光刻胶剥离液)去除金属离子污染物、粉尘颗粒物,无残留;

3.材料相容性好,对衬底材料及金属布线无腐蚀性;

4.无毒无刺激,不燃不爆,不含ODS(臭氧层破坏物质),符合欧盟RoHS标准。

产品参数:

外观(原液) :无色透明液体

比重       :1.06±0.01

PH值      :10—11

气味       :无

使用方法:

光刻胶去除剂(光刻胶剥离液)PL1311根据不同要求原液或稀释使用,稀释比例不超过20倍;使用前请咨询我司技术人员!

温度:50-60℃    

时间:5-10分钟

注意:清洗设备建议选择高频超声波清洗,避免震伤产品。

注意事项:

如不慎进入眼中应立即用清水冲洗,人工清洗时,请配戴防护手套;   

储存于阴凉干燥处,避免阳光直射

包装规格:

1加仑/桶


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